۳-۲ تخلخل……………………………………………………………………………………………………………………………….۴۷
۳-۳ رسانندگی مؤثر………………………………………………………………………………………………………………….۴۹
۳-۳-۱ نحوه ی توزیع پتانسیل در سطوح بر اساس تغییر فرکانس………………………………………………..۵۰
۳-۳-۲ بررسی تحول زمانی رسانندگی بارهای آزاد در طی فرایند رشد سطوح…………………………….۵۰
۳-۳-۳ بررسی وابستگی رسانندگی مؤثر به اندازه ی ذرات…………………………………………………………..۵۵
۳-۳-۴ بررسی رابطه تخلخل و رسانندگی…………………………………………………………………………………۵۷
۳-۳-۵ رابطه رسانندگی مؤثر بارهای آزاد با فرکانس……………………………………………………………….۵۸
۶۱
پیشنهادات…………………………………………………………………………………………………………….. ۶۲
مقالات ارائه شده……………………………………………………………………………………………………...۶۳
مراجع……………………………………………………………………………………………………………………..۶۴
فهرست شکل‌‌ها
عنوان صفحه
شکل ۱‑۱: نمودار زبری بر حسب زمان در حالت کلی. ۸
شکل ۱‑۲: نمودار لگاریتمی تحول زمانی پهنای فصل مشترک برای مدل BD، به ازای زیر لایه های مختلف با مقادیر L=100(○), ۲۰۰(□), ۴۰۰(◊),۸۰۰(∆) ۹
شکل ۱‑۳: نمایش شماتیکی از مراحل لازم برای باز مقیاس بندی نمودار های ناهمواری وابسته به زمان. نمودار آخر تابع مقیاس بندی نامیده می شود. ۱۰
شکل ۱‑۴: مکانیزم نشست در مدل انباشت تصادفی. ذرهی A درA’ و ذرهی B در B’ مینشیند. ۱۳
شکل ۱‑۵: نمونه ای از سطح تولید شده توسط مدل. سایه ها سطح را در زمانهای متوالی با بازههای زمانی یکسان نشان می دهند. ۱۵
شکل ۱‑۶: مدل نشست تصادفی با واهلش سطحی. ذره پس از نشست به مکانی با کمترین ارتفاع سقوط می کند. ۱۵
شکل ۱‑۷: سطح تولید شده توسط شبیه سازی مدل در زمان های متوالی ودر بازه های زمانی یکسان. ۱۶
شکل ۱‑۸: مدل BD با قاعدهی چسبیدن به نزدیکترین همسایه ۱۷
شکل ۱‑۹: سطح تولید شده توسط شبیه سازی مدل . ۱۸
شکل ۱‑۱۰: نمایی از قاعدهی نشست در مدل . ۱۹
شکل ۱‑۱۱: مثالی شماتیک از نشست بالستیک ذرات با اندازه های مختلف بر روی سطح. ۲۳
شکل ۱‑۱۲: سطح حاصل از نشست ذرات با اندازه های مختلف به ازای . ۲۳
=64 ۲۴
شکل ۲‑۱: رسانندگی متناوب بر حسب دما و فرکانس برای دو نوع رسانش الکترونی و یونی. الف) رسانندگی فیلم الماسی پلی کریستال [۳]. ب) رسانندگی در حالت مذاب با ویسکوزیتهی بسیار بالا[۴]. در فرکانس های پایین رسانندگی ثابت است و در فرکانسهای بالا از یک قانون توانی، با نمای زیر یک، تبعیت می کند. ۲۸
شکل ۲‑۲: مدارRC معادل، حاصل از گسسته سازی معادله ۲-۱۲٫ همگی خازنها یکسان و متناسب با ثابت دی الکتریک بارهای مقید میباشند. در حالیکه هر مقاومت، با معکوس رسانندگی موضعی بارهای آزاد، که وابسته به مکان است، متناسب میباشد. ۳۲
شکل ۲‑۳: نمایی از گسسته سازی شبکه به بلوکهای مربعی و ارتباط هر بلوک با همسایههای مجاورش. ۳۵
شکل ۲‑۴: ماتریس اسپارس (الف) قطری نواری، (ب) بلوک مثلثی و (ج) بلوک سه قطری. ۳۸
شکل ۲‑۵: نمایی از ماتریس اسپارس برای یک شبکه اولیه مستطیلی با ابعاد . ابعاد ماتریس اسپارس تولید شده برای چنین شبکه ای بصورت میباشد. ۳۸
شکل ۲‑۶: نمایی از شبکه گسسته شده به همراه خانه های اضافه شده برای اعمال شرایط مرزی. ۳۹
شکل ۳‑۱: منحنی تغییرات پهنای زبری بر حسب زمان برای سطوح رشد یافته از انباشت ذرات خطی یکسان با طول ، بر روی زیر لایه هایی با اندازه های متفاوت. نتایج ارائه شده برای بر روی ۱۵۰۰ نمونه ، برای برروی۵۰۰ نمونه و برای بر روی ۲۰۰ نمونه میانگین گیری شده است. ۴۳
شکل ۳‑۲: برازش خطی مقادیر بدست آمده برای به ازای زیر لایه های مختلف. ۴۴
شکل ۳‑۳: منحنی تغییرات پهنای زبری در حالت اشباع برای زیرلایه های مختلف، شیب بدست آمده بیانگر نمای زبری میباشد. ۴۵
شکل ۳‑۴: منحنی تغییرات لگاریتمی پهنای زبری بر حسب زمان برای سطوح رشد یافته ازنشست ذرات خطی با اندازه های مختلف: ، بر روی زیرلایههای متفاوت . نتایج ارائه شده برای بر روی ۱۵۰۰ نمونه ، برای برروی۵۰۰ نمونه و برای بر روی ۲۰۰ نمونه میانگین گیری شده است. ۴۶
شکل ۳‑۵: منحنی تغییرات تخلخل بر حسب زمان برای سطح در حال رشد توسط نسشت ذرات با اندازه های متفاوت، ، بر روی زیرلایه ای به اندازه . ۴۸
شکل ۳‑۶ : تغییرات تخلخل بر حسب اندازه ذرات برای زیر لایه ای به اندازه . ۴۹
شکل ۳‑۷: توزیع پتانسیل الکتریکی برای سطح تولید شده توسط ذرات خطی با طول برای مقادیر مختلف s. (الف) ، (ب) ، (ج) ، (د) ، (ه) ، (و) ، (ز) ۵۱
برای های با مقادیر: (الف) ، (ب) ، (ج) ، (د) و (ه). طول زیر لایه میباشد. ۵۳
شکل ۳‑۹: نمودار تغییرات رسانندگی بر حسب زمان به ازای فرکانسهای: ), ۰٫۰۰۲(►), ۰٫۰۲(■), ۰٫۲(♦), ۱(◄)●s = 0( برای سطوح در حال رشد توسط انباشت ذرات خطی یکسان با طولهای: (الف) ، (ب) ، (ج) و (د) . طول زیر لایه میباشد. ۵۴
شکل ۳‑۱۰: مقادیر حسب برای سطوح رشد یافته از ذرات یکسان با طولهای . برای همه سطوح است. (■) بیانگر لگاریتم مقادیر برای هر سطح و )—( شیب حاصل از برازش داده ها میباشد. ۵۵
), (▲), (●), (▼), (♦), (◄), (■), (►). ۵۶
شکل ۳‑۱۲: نمودار تغییرات بر حسب ، به ازای و برای فرکانسهای (+), (▲), (●), (▼), (♦), (◄), (■), (►). ۵۷
شکل ۳‑۱۳: مقادیر بر حسب تخلخل سطوح رشد یافته از نشست ذرات یکسان با طولهای: ، به ازای . ۵۸
),128(▼), ۶۴(♦), ۱۶(▲), ۱۲(*), ۸(◄), ۶(●), ۴(■), ۲(►) ۵۹
=16(▼),۱۲(●), ۸(*), ۶(■), ۴(◄), ۲(►). ۶۰
شکل ۳‑۱۶: تغییرات لگاریتمی شیبهای حاصل از نمودارهای شکل ۳-۱۵ بر حسب اندازه ذرات. (■) بیانگر مقدار شیبها است و (—) شیب حاصل از برازش خطی این داده ها میباشد. ۶۰
فهرست جدولها
راهنمای نگارش پایان نامه با موضوع رشد سطوح ناهموار و بررسی رسانندگی الکتریکی آن- فایل ۲
